https://studgold.ru/ ru[shortrss] http://studgold.ru/id8406/29768-fizicheskie-osnovy-jelektroniki-zadacha-2-variant-4-bashgu.html http://studgold.ru/id8406/29768-fizicheskie-osnovy-jelektroniki-zadacha-2-variant-4-bashgu.html Задача № 2
Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Fri, 20 Jan 2023 21:17:37 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/29768-fizicheskie-osnovy-jelektroniki-zadacha-2-variant-4-bashgu.html http://studgold.ru/id8406/29768-fizicheskie-osnovy-jelektroniki-zadacha-2-variant-4-bashgu.html Андрей Fri, 20 Jan 2023 21:17:37 +0300 Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]> [allow-turbo]Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/29768-fizicheskie-osnovy-jelektroniki-zadacha-2-variant-4-bashgu.html Задача № 2
Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. Электроника Fri, 20 Jan 2023 21:17:37 +0300 Задача № 2
Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:
а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;
б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;
в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;
г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;
д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.
е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.
Таблица №2
№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2
4
0,45 15

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Башкирский Государственный Университет.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/29713-osnovy-jelektroniki-variant-53-nutgp.html http://studgold.ru/id8406/29713-osnovy-jelektroniki-variant-53-nutgp.html Задание 1
Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Mon, 16 Jan 2023 13:54:49 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/29713-osnovy-jelektroniki-variant-53-nutgp.html http://studgold.ru/id8406/29713-osnovy-jelektroniki-variant-53-nutgp.html Андрей Mon, 16 Jan 2023 13:54:49 +0300 Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]> [allow-turbo]Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/29713-osnovy-jelektroniki-variant-53-nutgp.html Задание 1
Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. Электроника Mon, 16 Jan 2023 13:54:49 +0300 Задание 1
Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Объяснить принцип работы системы автоматического регулирования на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
Задание 2
Составить схему двухполупериодного выпрямителя, используя стандартные диоды Д222, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Pd =240 Вт при напряжении питания Ud =180 В. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Задание 3
Составить схему для снятия статических характеристик биполярного транзистора с ОЭ из указанных элементов. Объяснить назначение элементов схемы и объяснить, как по показаниям приборов определить коэффициент усиления напряжения транзистора.
Задание 4
Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС и ООС.

Дата изготовления: январь 2021 года.
ВУЗ: Новоуренгойский техникум газовой промышленности.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/29369-razrabotka-logicheskogo-modulja-s-pitaniem-ot-seti.html http://studgold.ru/id8406/29369-razrabotka-logicheskogo-modulja-s-pitaniem-ot-seti.html Введение 3
Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Mon, 26 Dec 2022 14:39:36 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/29369-razrabotka-logicheskogo-modulja-s-pitaniem-ot-seti.html http://studgold.ru/id8406/29369-razrabotka-logicheskogo-modulja-s-pitaniem-ot-seti.html Андрей Mon, 26 Dec 2022 14:39:36 +0300 Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]> [allow-turbo]Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/29369-razrabotka-logicheskogo-modulja-s-pitaniem-ot-seti.html Введение 3
Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. Электроника Mon, 26 Dec 2022 14:39:36 +0300 Введение 3
Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Раздел 1. Постановка задачи на курсовое проектирование 4
Раздел 2. Разработка логического модуля и расчет его параметров 7
2.1 Получение функциональной схемы модуля в базисе И-НЕ. 7
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы логической части модуля и чертежа печатной платы для нее. 9
2.3 Моделирование логики работы модуля в программе EWb 11
2.4 Расчет энергопотребления модуля 12
2.5 Расчет параметров стабилизатора напряжения и составление его принципиальной электрической схемы. 13
2.6 Описание технологии изготовления макета логического модуля и проверка его работоспособности. 14
2.7 Расчет быстродействия модуля 15
2.8 Расчет надежности ЛМ 16
Заключение 17
Список использованной литературы 18

Период изготовления: сентябрь 2022 года.
Предмет: Основы электротехника и цифровой электроники (Вариант 4).
Учебное заведение: Пермский государственный аграрно-технологический университет.
Оригинальность по Антиплагиат.ру (бесплатный) составила 58%
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/28960-indikator-batarei-radiozonda.html http://studgold.ru/id8406/28960-indikator-batarei-radiozonda.html ВВЕДЕНИЕ 4
ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Tue, 29 Nov 2022 10:57:32 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/28960-indikator-batarei-radiozonda.html http://studgold.ru/id8406/28960-indikator-batarei-radiozonda.html Андрей Tue, 29 Nov 2022 10:57:32 +0300 ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]> [allow-turbo]ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/28960-indikator-batarei-radiozonda.html ВВЕДЕНИЕ 4
ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. Электроника Tue, 29 Nov 2022 10:57:32 +0300 ВВЕДЕНИЕ 4
ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАДИОЗОНДА 6
1.1. Радиозондирование атмосферы с помощью аэрологических комплексов 6
1.2 Радиозонды 8
1.3 Измерительные приборы для определения исправности источников питания 11
1.3.1 Амперметр 12
1.3.2 Вольтметр 15
1.3.3 Индикатор емкости аккумуляторной батареи 17
1.3.4 Мультиметр 18
ГЛАВА II. СБОРКА И МОНТАЖ УСТРОЙСТВА ИНДИКАТОР БАТАРЕИ РАДИОЗОНДА 23
2.1 Принципиальная схема устройства индикатор батареи радиозонда 23
2.2. Обоснование компонентов 24
2.3 Сборка, монтаж и тестирование устройства 31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 34
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ИНФОРМАЦИИ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Основные технические характеристики аэрологических комплексов
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Технические характеристики радиозондов
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Программный код устройства индикатор батареи радиозонда

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Есть приложения.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 75%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/28959-signalizator-utechki-vody-na-arduino.html http://studgold.ru/id8406/28959-signalizator-utechki-vody-na-arduino.html ВВЕДЕНИЕ 4
ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Tue, 29 Nov 2022 10:42:15 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/28959-signalizator-utechki-vody-na-arduino.html http://studgold.ru/id8406/28959-signalizator-utechki-vody-na-arduino.html Андрей Tue, 29 Nov 2022 10:42:15 +0300 ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]> [allow-turbo]ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/28959-signalizator-utechki-vody-na-arduino.html ВВЕДЕНИЕ 4
ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. Электроника Tue, 29 Nov 2022 10:42:15 +0300 ВВЕДЕНИЕ 4
ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]ГЛАВА I. ДАТЧИКИ КОНТРОЛЯ УТЕЧКИ ВОДЫ 5
1.1 Обзор существующих устройств 5
1.1.1 Система защиты от протечек PS-Link Контроль протечки воды PS-3202 7
1.1.2 Датчик утечки воды Tuya Smartlife Zigbee 8
1.1.3 Беспроводной датчик протечки Aqara Water Leak Sensor 8
1.1.4 Система защиты от протечек Риэлта РИЭЛТА-АКВА 10
1.2 Анализ существующих сигнализаторов утечки воды 11
1.3 Область использования разрабатываемого устройства 11
1.4 Функциональный блок – схема 12
1.5 Описание работы устройства 13
1.6 Описание компонентов 13
1.7 Описание программы EasyEDA 19
ГЛАВА II. МОНТАЖ И ТЕСТИРОВАНИЕ ДАТЧИКА УТЕЧКИ ВОДЫ 21
2.1 Обоснование выбранного решения 21
2.2 Тестирование устройства 22
2.3 Описание сборки и настройка 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 29
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Глоссарий
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Листинг Izmeritel

Период изготовления: июнь 2021 года.
Учебное заведение: Иркутский Гидрометеорологический Техникум.
Оригинальность по Антиплагиат.ру составила 80%.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/27995-jelektronika-pr-1-variant-1.html http://studgold.ru/id8406/27995-jelektronika-pr-1-variant-1.html Рассчитайте однополупериодную, двухполупериодную с нулевой точкой, мостовую, трёхфазную схемы выпрямителей с заданными параметрами выпрямительного диода. Составьте схему каждого выпрямителя.
Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел [allow-turbo]Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Tue, 25 Oct 2022 11:33:37 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/27995-jelektronika-pr-1-variant-1.html http://studgold.ru/id8406/27995-jelektronika-pr-1-variant-1.html Андрей Tue, 25 Oct 2022 11:33:37 +0300 Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел]]> [allow-turbo]Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/27995-jelektronika-pr-1-variant-1.html Рассчитайте однополупериодную, двухполупериодную с нулевой точкой, мостовую, трёхфазную схемы выпрямителей с заданными параметрами выпрямительного диода. Составьте схему каждого выпрямителя.
Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел Электроника Tue, 25 Oct 2022 11:33:37 +0300 Рассчитайте однополупериодную, двухполупериодную с нулевой точкой, мостовую, трёхфазную схемы выпрямителей с заданными параметрами выпрямительного диода. Составьте схему каждого выпрямителя.
Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел [allow-turbo]Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Параметры выпрямительного диода:
Pd=500 Вт Ud=150 В Iдоп=1 А Uобр=150 В

Период изготовления: май 2022 года.
Учебное заведение: неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/27788-issledovanie-idealizirovannogo-r-n-perehoda-laboratornaja-rabota-1-mtusii.html http://studgold.ru/id8406/27788-issledovanie-idealizirovannogo-r-n-perehoda-laboratornaja-rabota-1-mtusii.html Номер зачётной книжки – 20051, в итоге изменяю начальные данные в 1.5 раза:
Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Thu, 20 Oct 2022 16:03:03 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/27788-issledovanie-idealizirovannogo-r-n-perehoda-laboratornaja-rabota-1-mtusii.html http://studgold.ru/id8406/27788-issledovanie-idealizirovannogo-r-n-perehoda-laboratornaja-rabota-1-mtusii.html Андрей Thu, 20 Oct 2022 16:03:03 +0300 Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]> [allow-turbo]Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/27788-issledovanie-idealizirovannogo-r-n-perehoda-laboratornaja-rabota-1-mtusii.html Номер зачётной книжки – 20051, в итоге изменяю начальные данные в 1.5 раза:
Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. Электроника Thu, 20 Oct 2022 16:03:03 +0300 Номер зачётной книжки – 20051, в итоге изменяю начальные данные в 1.5 раза:
Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9

Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/27397-operativnaja-pamjat-ozu.html http://studgold.ru/id8406/27397-operativnaja-pamjat-ozu.html 1. Общие положения 3
2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Sun, 04 Sep 2022 23:39:15 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/27397-operativnaja-pamjat-ozu.html http://studgold.ru/id8406/27397-operativnaja-pamjat-ozu.html Андрей Sun, 04 Sep 2022 23:39:15 +0300 2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]> [allow-turbo]2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/27397-operativnaja-pamjat-ozu.html 1. Общие положения 3
2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. Электроника Sun, 04 Sep 2022 23:39:15 +0300 1. Общие положения 3
2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел. [allow-turbo]2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27

Период изготовления: май 2022 года.
Предмет: Цифровая электроника.
ВУЗ: Университет «Дубна».
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/26215-kvantovo-mehanicheskie-osnovy-jelektroniki-variant-2-altgtu.html http://studgold.ru/id8406/26215-kvantovo-mehanicheskie-osnovy-jelektroniki-variant-2-altgtu.html III.2. На пути электрона с длиной волны де Бройля, равной 0,1 нм, находится потенциальная ступенька высотой 120 эВ. Определить длину волны де Бройля после прохождения барьера.
IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%. [allow-turbo]IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%.]]>[/allow-turbo] Электроника Андрей Fri, 25 Feb 2022 23:38:28 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/26215-kvantovo-mehanicheskie-osnovy-jelektroniki-variant-2-altgtu.html http://studgold.ru/id8406/26215-kvantovo-mehanicheskie-osnovy-jelektroniki-variant-2-altgtu.html Андрей Fri, 25 Feb 2022 23:38:28 +0300 IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%.]]> [allow-turbo]IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%.]]>[/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/26215-kvantovo-mehanicheskie-osnovy-jelektroniki-variant-2-altgtu.html III.2. На пути электрона с длиной волны де Бройля, равной 0,1 нм, находится потенциальная ступенька высотой 120 эВ. Определить длину волны де Бройля после прохождения барьера.
IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%. Электроника Fri, 25 Feb 2022 23:38:28 +0300 III.2. На пути электрона с длиной волны де Бройля, равной 0,1 нм, находится потенциальная ступенька высотой 120 эВ. Определить длину волны де Бройля после прохождения барьера.
IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%. [allow-turbo]IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%.]]>[/allow-turbo] [allow-dzen]IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.
VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?
VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.
IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.
X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.
ВУЗ: Алтайский государственный технический университет.
Всего 6 задач
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 26.11.2021 г. составила 70%.]]>[/allow-dzen] [/yandexrss][shortrss] http://studgold.ru/id8406/21663-21663.html http://studgold.ru/id8406/21663-21663.html Введение 3
1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов 4
2 Устройство и сфера применения 8
Заключение 14
Список использованных источников 16

Дисциплина: Электроника
Дата изготовления: ноябрь 2019 года.
Учебное заведение: Неизвестно.

Целью данной работы является анализ назначения и устройства IGBT-транзистора.
Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
- рассмотреть понятие и основные параметры IGBT-транзисторов;
- проанализировать устройство и сферу применения IGBT-транзисторов.
Объектом работы выступает IGBT-транзистор. Предметом - его устройство и область применения.
Теоретической базой написания работы послужили труды таких авторов, как Ю.К. Розанов, А. Бормотов, А.Ю. Болдырев и др., а также источники сети Интернет.
В работе использовались методы теоретического анализа литературы по исследуемой проблеме, методы изучения, обобщения и анализа.
Структура работы состоит из введения, двух глав, заключения и списка использованных источников.

Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 22.06.2021 г. составила 81%. [allow-turbo][/allow-turbo] Электроника Андрей Tue, 22 Jun 2021 13:54:24 +0300 [/shortrss] [fullrss] http://studgold.ru/id8406/21663-21663.html http://studgold.ru/id8406/21663-21663.html Андрей Tue, 22 Jun 2021 13:54:24 +0300 1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов 4
2 Устройство и сфера применения 8
Заключение 14
Список использованных источников 16

Дисциплина: Электроника
Дата изготовления: ноябрь 2019 года.
Учебное заведение: Неизвестно.

Целью данной работы является анализ назначения и устройства IGBT-транзистора.
Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
- рассмотреть понятие и основные параметры IGBT-транзисторов;
- проанализировать устройство и сферу применения IGBT-транзисторов.
Объектом работы выступает IGBT-транзистор. Предметом - его устройство и область применения.
Теоретической базой написания работы послужили труды таких авторов, как Ю.К. Розанов, А. Бормотов, А.Ю. Болдырев и др., а также источники сети Интернет.
В работе использовались методы теоретического анализа литературы по исследуемой проблеме, методы изучения, обобщения и анализа.
Структура работы состоит из введения, двух глав, заключения и списка использованных источников.

Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 22.06.2021 г. составила 81%.]]> [allow-turbo][/allow-turbo] [allow-dzen][/allow-dzen] [/fullrss] [yandexrss] http://studgold.ru/id8406/21663-21663.html Введение 3
1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов 4
2 Устройство и сфера применения 8
Заключение 14
Список использованных источников 16

Дисциплина: Электроника
Дата изготовления: ноябрь 2019 года.
Учебное заведение: Неизвестно.

Целью данной работы является анализ назначения и устройства IGBT-транзистора.
Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
- рассмотреть понятие и основные параметры IGBT-транзисторов;
- проанализировать устройство и сферу применения IGBT-транзисторов.
Объектом работы выступает IGBT-транзистор. Предметом - его устройство и область применения.
Теоретической базой написания работы послужили труды таких авторов, как Ю.К. Розанов, А. Бормотов, А.Ю. Болдырев и др., а также источники сети Интернет.
В работе использовались методы теоретического анализа литературы по исследуемой проблеме, методы изучения, обобщения и анализа.
Структура работы состоит из введения, двух глав, заключения и списка использованных источников.

Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 22.06.2021 г. составила 81%. Электроника Tue, 22 Jun 2021 13:54:24 +0300 [allow-turbo][/allow-turbo] [allow-dzen][/allow-dzen] [/yandexrss]