Исследование идеализированного р-n перехода (Лабораторная работа №1, МТУСиИ)
ИНФОРМАЦИЯ
|
|
Вид работы:
|
Лабораторная работа
|
Дисциплина:
|
|
ВУЗ:
|
|
Город, год:
|
2021
|
Уникальность:
|
% по системе
|
Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18
Концентрация донорной примеси: 1.5Е16
Площадь: 1.5Е-2
Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11
Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п Si Si Si Si
NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018
NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017
S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2
Результаты при Т = 300 К
ᶲk0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1
w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2
I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18
Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0
Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0
Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9
Период изготовления: июнь 2021 года.
ВУЗ: Московский технический университет связи и информатики.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
КУПИТЬ РАБОТУ
|
СТОИМОСТЬ РАБОТЫ:
|
200 руб.
|
- Введите нужную сумму и нажмите на кнопку "Перевести"
|
|
- После оплаты отправьте СКРИНШОТ ОПЛАТЫ и ССЫЛКУ НА РАБОТУ на почту Studgold@mail.ru
|
|
- После проверки платежа файл будет выслан на вашу почту в течение 24 ЧАСОВ.
|
|
- Если цена работы не указана или менее 100 руб., то цену необоходимо уточнить в службе поддержки и только потом оплачивать.
|
|
ПОДДЕРЖКА: |
Studgold@mail.ru
|
Минимальная длина комментария - 50 знаков. комментарии модерируются
СМОТРИТЕ ТАКЖЕ
|
Квантово-механические основы электроники (вариант 2, АлтГТУ) [25-02-2022 23:38]
III.2. На пути электрона с длиной волны де Бройля, равной 0,1 нм, находится потенциальная ступенька высотой 120 эВ. Определить длину волны де Бройля после прохождения барьера. IV.2. Найти постоянную
Предмет: Электроника
Оперативная память (ОЗУ) [04-09-2022 23:39]
1. Общие положения 3 2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7 2.1 Динамическая память (DRAM) 7 2.2 Статистическая память (SRAM) 16 3. Увеличение объема памяти 21
Предмет: Электроника
IGBT-транзистор [22-06-2021 13:54]
Введение 3 1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов 4 2 Устройство и сфера применения 8 Заключение 14 Список использованных источников 16 Дисциплина: Электроника Дата изготовления: ноябрь
Предмет: Электроника